4bitセル64層NANDと3bitセル96層NAND

インテルとマイクロンが多層NANDを発表しました。

※インテルの発表

Screenshot of newsroom.intel.com

※マイクロンの発表

Screenshot of www.micron.com

インテルとマイクロンが、史上初の1TB容量を持つ4ビットセル(QLC)の64層NANDフラッシュを出荷し、3ビットセル(TLC)の96層NANDフラッシュの技術発表を行いました。1テラビットって、128ギガバイトですから、CD1枚を700MBとすると、その187枚分の容量に相当するんですね。それが数㎝角の半導体ダイに入ってしまっているんですね。

QLC–quad level cell — コンデンサ1つに4ビット(16レベル)を割り当てる
TLC–triple level cell — コンデンサ1つに3ビット(8レベル)を割り当てる
MLC–multi level cell — コンデンサ1つに2ビット(4レベル)を割り当てる
SLC–sigle level cell — コンデンサ1つに1ビットを割り当てる

普通に考えて、4ビットセルの96層NANDフラッシュも間もなく実現することになりますから、SSDの容量増加(価格低下)は全然止まらないということになるわけです。

このニュースで大事なことは、「4ビットセル」も「96層」も、プロセス微細化とは別の性能向上手法を使っているということですね。ムーアの法則は、微細化の観点であと数年で終焉すると見られていますが、微細化以外の手法で性能向上が続くとすればそれは驚くべき事になります。もちろんAI革命シンギュラリティの面ではプラス材料になります。見たこともない未来がどんどん近づくかも知れないのです!

※参考記事

ムーアの法則


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