2018/10/22 オランダの半導体露光装置メーカーASML（世界シェア８割）と、ベルギーの半導体ナノテク研究機関imecが共同で、高開口数極端紫外線リソグラフィ研究室（high NA euv research laboratory）を設立しました。
開口数は、レンズの分解能を決める要素で、光を取り込む量の大きさを示す数値です。
2018年現在、7nmプロセス実現のためにEUV露光装置（可視光よりも波長が短い紫外線の中でも特に波長の短い紫外線を使って微細な半導体パターンの焼き付けを実現する装置）の出荷が始まっていますが、更にプロセスを微細化するために、EUVで更に開口数も上げる研究が進められているというわけです。プレスリリースに記載されている数値は、「3nmプロセス以降」と書いてあり、驚くしかありません。現在の最先端プロセスよりも更に５倍以上の集積度を実現できる可能性があるのです。２年で２倍のムーアの法則で言えば、４年後までの継続性が視野に入っているということになります。
もしも子供に物理学の才能があるならば、「ベルギーに行ってimecに就職しなさい」とアドバイスすることでしょう。