酸化ガリウム半導体

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ワイドバンドギャップ半導体である、酸化ガリウムのトランジスタ製造技術が確立しつつあります。酸化ガリウムGa2O3のバンドギャップは4.5eVで、シリコン単結晶の1.1eVや、省エネ半導体と呼ばれるSiCの2.8eVよりも大幅に高くなっています。

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バンドギャップが大きいということは、その半導体をスイッチとして使った場合の絶縁性能が高いということです。スイッチを駆動する電力も少なくて済み、省エネになるということです。冷暖房や電気自動車の効率(燃費)がアップするということになります。これはエネルギーの価格が低下するのと同じ事です。限界費用ゼロ社会に向けて、着々とデバイスの改良が進んでいるということになります。従来考えられなかったような性能のトランジスタが出現することになります。従来考えられなかったような社会が出現することになりますね。

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